蚀刻机事实上小范围了解便是光刻浸蚀，先根据光刻将光刻胶开展光刻曝出解决，随后根据其他方法完成浸蚀解决掉所需去除的一部分。伴随着微生产制造加工工艺的发展趋势；理论上而言，刻蚀变成根据饱和溶液、反映正离子或其他机械设备方法来脱离、除去原材料的一种通称，变成微生产加工生产制造的一种普适性称呼。磁感应藕合等离子刻蚀法是有机化学全过程和全部全过程相互功效的結果。它的基本概念是在真空泵气压低下，ICP射频电源造成的微波射频导出到圆形藕合电磁线圈，以一定百分比的混和刻蚀汽体经藕合电弧放电，造成密度高的的等离子，在下电级的RF微波射频功效下，这种等离子对硅片表面开展负电子，硅片图型地区的热电材料的离子键被切断，与刻蚀汽体转化成挥发物成分，以汽体方式摆脱硅片，随后从真空电磁阀路被吸走。
光刻机把图案设计刻上去，随后刻蚀机依据刻上去的图案设计刻蚀掉有图案（或是沒有图案设计）的一部分，留有剩余的部分。刻蚀相对性光刻要非常容易。假如把在硅晶体上的工程施工比成木工活得话，光刻机的效果等同于木工在木材上放墨斗线画线，刻蚀机的效果等同于木工在木材上放手锯、木工凿、斧头、刨刀等工程施工。蚀刻机和光刻机特性一样，但精密度标准是天差地别。木工做细心活，一般到mm就可以了。做集成ic用的刻蚀机和光刻机，要到纳米技术。如今的手机处理器，如海思麒麟970，骁龙处理器845全是tsmc的10纳米材料。10纳米有多小呢？举个例子。假如把一根直徑是0.05mm发丝，按径向均值割成5000片，一片的薄厚大概便是10纳米技术。
光刻机别名：掩模对准曝光机，曝出系统软件，光刻系统等。一般的光刻加工工艺要历经单晶硅片表面清理烘干处理、涂底、旋涂光刻胶、软烘、指向曝出、后烘、显影液、硬烘、刻蚀等工艺流程。光刻的效果是使表面具备疏水性，提高底材表面与光刻胶的粘附。光刻机可广泛运用于微纳流控芯片生产加工、微结构光电器件、微结构光栅尺、ＮＭＥＭＳ元器件等微结构构造元器件的制取。